%0 Journal Article
%T Research on the Ion implantation of Be into InGaAs<br>InGaAs中Be离子注入的研究
%A Zhang Yonggang/
%A <br>张永刚
%A 富小妹
%A 潘慧珍
%A 陈如意
%A 张荟星
%J 半导体学报
%D 1988
%I 
%X 本文研究了 InGaAs外延层中的Be~+注入,采用SIMS、电化学C-V和Hall等方法进行了测试分析,结果表明:采用低于700℃的近似包封变温热退火可以获得较高的电激活率和表面质量,形成的pn结具有高击穿电压和低漏电流,此方法已应用于单片集成 InGaA_s PIN-JFET光接收器件的制作,获得了良好的器件特性.
%K Ion implantation
%K Beryllium
%K InGaAs alloy semiconductor
%K Optoelectronic integrated circuit<br>离子注入
%K 铍
%K 铟镓砷半导体
%K 光电子集成电路
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=464D41B0525ED750&yid=0702FE8EC3581E51&vid=9CF7A0430CBB2DFD&iid=38B194292C032A66&sid=A5B34D9E8FDA439A&eid=717CC18E05F2AFA0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0