%0 Journal Article
%T 氢气区熔硅单晶中的新红外吸收谱峰
%A 轩振国
%A 张美蓉
%A 游志朴
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 在氢气区熔硅单晶中观测到一个2688cm~(-1)的新Si-H红外吸收峰.该谱峰不能由文献2]、4]提的模型来解释.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5A41B734AD445541&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=E158A972A605785F&sid=B40AD8FE6FA88DE9&eid=78976D931AD1540F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0