%0 Journal Article
%T 氧在a-GaAs(:H)表面吸附的光电子谱研究
%A 汪兆平
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文首次报道a-GaAs(:H)膜暴露于激活态氧之后的光电子谱的测量结果.样品是在超高真空系统中,在Ar和H_2的混合气体中用直流溅射方法原位制备的.氧的吸附在a-GaAs(:H)的价带谱中诱导一个在价带顶(VBM)之下4.7eV的峰和位于7—9eV的一个弱结构.通过与晶态GaAs表面氧的吸附结果的比较,我们推测,在非晶态GaAs表面可能只存在离解态氧的吸附.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F295D96E69E67675&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=E158A972A605785F&sid=DDEED1BDDBFAA8A7&eid=08076B8B3CC96095&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0