%0 Journal Article
%T 反应离子束刻蚀二氧化硅和硅研究
%A 傅新定
%A 陈国明
%A 任琮欣
%A 郑廷芳
%A 陈莉芝
%A 方红丽
%A 杨洁
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 应用CF_4、C_4F_8、CF_3I等反应气体SiO_2、单晶硅进行刻蚀研究.研究了刻蚀速率与离子能量、束流密度、入射角的关系、所得 SiO_2对单晶硅刻蚀选择比分别为 9:1(CF_4)、15:1(C_4F_8).刻蚀后,观察到表面有微量氟碳聚合物,但可用适当方法将氟碳沾污物予以消除.实验表明,C_4F_8反应气体是用于刻蚀SiO_2-Si 系统的较好气体,而CF_3I气体则否. 本文主要报道应用CF_4、C_4F_8在反应离子束刻蚀、镀膜装置(RIBC)中刻蚀SiO_2和Si的实验结果.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BA3830B3BDD82A1DB71C2D8379B70C4D&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=E158A972A605785F&sid=F27A401E323B6FAD&eid=B7ACE2F11789CAE0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0