%0 Journal Article
%T InGaAs的电调制反射谱及其组份分析
%A 王桂芬
%A 马根源
%A 关德荣
%A 张晓东
%A 张光寅
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本工作采用电解液电调制反射谱技术,对n型InGaAs外延片进行了研究.从所测得的光谱中,利用三点法计算出了临界点跃迁能量E_0、E_1,自旋轨道分裂△_0、△_1和线宽参数Γ_0、Γ_1,还研究了临界点能量E_1与含金组分x的关系.所得结果均与国内外报道的理论和实验值符合得较好.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1CB17C48CC4434633BD58756F501ECE6&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=0B39A22176CE99FB&sid=E0F6F365E4766526&eid=FCD27DC5E1F2EEE7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0