%0 Journal Article
%T Si:Cr中的E能级的计算
%A 王永良
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 用非自治的准带晶格场方法计算了Si :Cr中的E能级.杂质的局域态波函数用单中心的类氢波函数展开.在格林函数的计算中用大元胞模型使对布里渊区的求和大大简化.硅中替代杂质Cr所产生的屏蔽微扰势用线性响应理论得到.计算得到的E能级在带隙中的位置同自治的同类计算的结果符合很好.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4EF211B4B38E2950&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=E158A972A605785F&sid=117BC32987199759&eid=7D6CD8918B045FD4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0