%0 Journal Article
%T P-InP欧姆接触的Nd-YAG激光合金化
%A 王立军
%A 张青月
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文报道用 Nd-YAG脉冲激光辐照代替热合金化制备了性能良好的 P-InP/AuSb +AuZn + Au欧姆接触.利用激光合金所获得的接触电阻率8.6× 10~(-5)~Ω·cm~2优于另一部分样品热合金化的值1.6 ×10~(-4)Ω·cm~2.其表面形貌也比热合金化的好,俄歇电子能谱分析发现在界面附近明显形成了Zn的分布峰,使电子隧穿势垒的几率增大.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E9CC17FF37D43420895CE23EADD7783D&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=0B39A22176CE99FB&sid=6235172E4DDBA109&eid=C29816B2656377A7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0