%0 Journal Article
%T 离子注入退火过程中高浓度砷硼再分布扩散的一种新的解析模型
%A 汤庭鳌
%A Carlos Araujo
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文采用玻尔兹曼变换法求解高浓度下的砷和硼的扩散方程,并以高斯分布作为离子注入的初始分布,得到了杂质在退火过程中再分布的新的解析模型.还得到了结深、峰值浓度等随退火条件变化的解析表达式.这些结果对MOS和双极器件、电路的工艺设计有实际参考价值.也能用来改进 SUPREM工艺模拟中所采用的模型.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CE3C675F7A15D6A536E8B8E7DD506D1D&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=0B39A22176CE99FB&sid=1B97AE5098AEB49C&eid=43608FD2E15CD61B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0