%0 Journal Article
%T 新的双层介质的InP MIS结构
%A 汪正孝
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文提出了一种由真空蒸发法淀积的SiO薄膜和在P_2O_5气氛中进行InP的热氧化而形成的 InP本体氧化层(native oxide)所组成的新的双层介质 InP MIS结构.通过高频C-V特性的测量得到了较好的界面特性,其中最小界面态密度达8.5×10~(10)cm~(-2)eV~(-1).本文还通过俄歇电子能谱(AES)的测量探讨了上述InP的本体氧化层在改善InP MIS结构的界面特性方面所起的作用.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C5DD5A3B4BECC3E9A682C707D127260A&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=0B39A22176CE99FB&sid=04445C1D2BDA24EE&eid=BA79719BCA7341D5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0