%0 Journal Article
%T 1.3微米低阈值大功率基横模BH InGaAsP/InP激光器
%A 王圩
%A 张静媛
%A 田慧良
%A 汪孝杰
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 我们采用二次液相外延技术,成功地研制出1.3微米低阈值,大功率,基横模BH InGaAsPInP激光器,其室温连续工作阈电流低至 10mA,单面微分量子效率达到 31％,最大线性光功率输出为20mW~*/facet以上,在2.5倍阈值的工作电流下仍可稳定的基横模工作.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=29BFC27E916844D3&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=38B194292C032A66&sid=5FF9F4F7CB1800C7&eid=9D9F10A828991FA6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0