%0 Journal Article
%T a-Si(H)太阳电池最佳结构的一些理论计算
%A 林璇英
%A 杨大同
%A 奚中和
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 非晶硅太阳电池本征层厚度和费米能级位置是影响电池性能的两个重要物理参量.本文从理论上计算出PIN结内建场与本征层厚度和费米能级位置的关系.计算结果表明:为保证光生载流子的有效收集,当隙态密度为10~(17)cm~(-3)eV~(-1)时,本征层最佳厚度为0.5μm,费米能级位置偏离能隙中心不能超过0.2eV.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=238EBFAABAD16C2E3EC174EE1D96649E&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=0B39A22176CE99FB&sid=205BE674D84A456D&eid=3986B25773CB6C30&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0