%0 Journal Article
%T 非晶碳化硅薄膜和非晶锗-碳薄膜的拉曼散射研究
%A 李国华
%A 陶明德
%A 谭辉
%A 曲凤钦
%A 韩英
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 测量了用高频溅射法生长的非晶碳化硅薄膜的室温拉曼谱.观察到在400—600cm~(-1)、700-1000cm~(-1)、1200—1600cm~(-1)处的三个宽拉曼散射峰,分别对应于Si-Si、Si-C、C-C键.并发现在不同电阻率的样品中三个峰的相对强度有明显的差别.同时测量了高频溅射法生长的非晶锗-碳薄膜的室温拉曼谱.与非晶碳化硅薄膜不同,没有观察到对应于Ge-C 键的拉曼散射峰.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D2757000F13ABE4B&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=0B39A22176CE99FB&sid=B1F98368A47B8888&eid=D46BA3D3D4B3C585&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0