%0 Journal Article
%T GaAs、InP阳极氧化薄膜的光电子能谱、俄歇电子能谱分析
%A 周勉
%A 王渭源
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 使用一种新的不含水的阳极氧化液生长出厚度均匀、重复性好的～10~2A GaAs、InP阳极氧化膜.XPS和 AES分析表明:GaAs 氧化膜表面和膜内组分均匀,Ga_2O_3/As_2O_3=1; InP一氧化物界面过渡区较窄,未见到富p现象.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0FBAD17751279AC5&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=38B194292C032A66&sid=AA5FB09E1F81059E&eid=3C6F5C97A07587AE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0