%0 Journal Article
%T 在多数载流子对边区作非饱和填充的条件下测量深中心分布的理论与实践
%A 陈开茅
%A 秦国刚
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文提出在多数载流子对边区作非饱和填充的条件下求深中心分布的理论与实践.过去在对边区作饱和填充的条件下求分布的方法须要知道测量温度下深能级的实际位置,而通过热发射率测定的却是表观激活能,由后者精确求出前者有时是相当困难的.传统方法还须知道费米能级作为距离的函数,在有多个浓度较高深能级情况下,由C-V法难以求得这函数.本法无须知道深能级与费米能级位置,因而避免了上述困难.对硅中金受主应用了本方法.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9C3892B956F05CB4&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=38B194292C032A66&sid=88D36036CFF69B3C&eid=F416A9924F23B020&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0