%0 Journal Article
%T 气相色谱测定非晶硅薄膜中氢含量
%A 吕惠云
%A 武锦华
%A 尹恩华
%A 刘昌灵
%A 孔光临
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 本文介绍用气相色谱法测定非晶硅薄膜中氢的总含量及不同温度下氢的释放率,这种方法比过去在氢的热释放实验中采用的气压测定法更可靠.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=563E12655C1CAEC862B135E7EF148FB4&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=38B194292C032A66&sid=377D325742940769&eid=A5B34D9E8FDA439A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0