%0 Journal Article
%T 单晶硅的10.6μm光吸收系数与电阻率的关系
%A 吴仲墀
%A 赵有源
%A 高如芳
%A 钱佑华
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X <正> 10.6μm的CO_2激光,对于一定电阻率范围的晶态硅,正处在载流子光吸收的强吸收区.利用输出光强高度稳定的CO_2激光器作为硅电阻率的无损检测工具,是比较理想的途径之一. 令光束正入射于上下表面为平行镜面、厚度为Z的硅晶体,若样品载流子浓度介于
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=ED724B47A030AF80BDE14CA59BF9FA6A&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=38B194292C032A66&sid=E3094127AA4ABC1A&eid=160561E9A96393DE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0