%0 Journal Article
%T 贵金属与GaAs(110)界面上费米能级位置的测定
%A 潘士宏
%A Nathan Newman
%A T.Kendelewicz
%A W.G.Petro
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 本文报道了用I-I＇法测量在超高真空中n型GaAs(110)解理面上制备的Cu、Ag、Au二极管的肖特基势垒高度,以及用同步辐射的软X射线光电子谱测定的Cu在n型GaAs(110)上界面费米能级的位置.两种方法的结果符合得很好.贵金属在n型GaAs(110)上界面费米能级的位置处于导带以下0.9±0.05eV处,相当于同样数值的势垒高度,并与缺陷模型中的施主能级的位置相对应.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B6FEC7C3E4840BA1D38B2E4ED34F113F&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=38B194292C032A66&sid=F416A9924F23B020&eid=85002451B65CE0D1&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0