%0 Journal Article
%T Si/SiO_2界面态研究中辅以脉冲和恒定红外光照的脉冲Q(V)法
%A 郑心畬
%A 李志坚
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 本文提出了一种新的Si/siO_2界面态研究方法——辅以脉冲和/或恒定红外光照的脉冲Q(V)法.该方法的主要特点是:测量精度高,能自动补偿样品漏电,对长寿命或低温下的样品也能保证可靠的载流子平衡.提出了适用于热平衡及光热平衡样品的理论模型及相应的数据处理方法,从而保证了使用一个N或P型样品测出几乎全禁带区间内较为可靠的界面态分布.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=99DFC9453ED09D43&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=94C357A881DFC066&sid=D0E8F9CBDBE0070C&eid=98494933359B55EC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0