%0 Journal Article
%T a-Si:(H,Cl)薄膜的XPS和UPS研究
%A 邢益荣
%A 钟战天
%A 沈光地
%A 孔光临
%A 廖显伯
%A 杨喜荣
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 对a-Si:(H,C1)薄膜进行了XPS和UPS测量,样品是利用辉光放电方法在SiH_4+H_2加SiCl_4+H_2混合气体中生长的.XPS的结果表明,根据Cl 2p发射峰和Si2p(或2s)发身峰的强度可以定量地确定Cl与Si的原子浓度比;UPS的结果可以解释为在这种a- Si:H:Cl中同时存在Si-H和Si-Cl结合键.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=87E4F2CF5A58F07C0D7F56555461CC80&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=C7461453A367FC85&eid=106103EB0EA31435&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0