%0 Journal Article
%T 半绝缘InP注硅的无包封退火
%A 乔墉
%A 卢建国
%A 罗潮渭
%A 邵永富
%A 王渭源
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 掺Fe半绝缘 InP材料室温下注入Si~+,在 650℃无包封退火15 min,辐射损伤已可消除;但是Si的充分电激活则需要较高的退火温度.无包封下即使在 750℃退火 30 min,样品表面貌相也未被破坏.用能量E=150keV注入Si~+、剂量φ为1× 10~(13)、5 × 10~(13)和1×10~(14)cm~(-2)的样品.在750℃无包封退火15min,最高载流子浓度n_s分别是8×10~(13)、3.9×10~(13)和 6.3 ×10~(13)cm~(-2),其中φ为 1×10~(13)cm~(-2)的样品,霍耳迁移率μ_n为 2100 cm~2/V·scc.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8E6A42586EADBA44B15728A55905D5EF&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=A3F93694B058F76C&eid=2497388423811B81&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0