%0 Journal Article
%T 高斯掺杂分布GaAs肖特基结的雪崩击穿电压
%A 程兆年
%A 袁云芳
%A 王渭源
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 由离子注入掺杂半绝缘GaAs 所得到的材料可视为生长在半绝缘衬底上的高斯分布层.高斯掺杂分布用峰值浓度、投影射程和标准偏离三个参量来表征.在DJS-130计算机上用数值方法计算了各种不同参量下的耗尽层宽度、最大电场和击穿电压,计算结果用图表示.计算证实,高斯掺杂分布GaAs 肖特基结的雪崩击穿行为,类似于具有不同程度的i层的p-i-n结构.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9384DF5F293C29114AB1A88CFF268B9B&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=B31275AF3241DB2D&sid=BE5DBC360CD4FFB9&eid=4A2356A1257A12EB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0