%0 Journal Article
%T MOSFET强表面场电学特性分析
%A 刘可辛
%A 傅予
%A 李宏
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 本文考虑了横向电场和纵向电场对表面迁移率的影响,分析了强表面电场下MOSFET的电学特性.给出了电导和跨导等分析表达式.对硅VVMOSFET进行了电学特性的测量.实验结果与理论分析符合得很好.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8C9D127BE2C27F77&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=E158A972A605785F&sid=3BAAE0DA6093AC05&eid=396DD691E964F390&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0