%0 Journal Article
%T GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起静止畴的超宽带负阻
%A 郑一阳
%A 张进昌
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 本文讨论了在CaAs 体效应器件中由于阴极附近深凹槽的掺杂分布引起的静止畴的超宽带负阻,在这一模型中电场分布不再是通常的三角形,而可以得到整个有源区内较为平坦的电场分布,利用这一模型用小讯号理论计算了它的负电导,可以在很宽的频段内获得负阻,实验上也观察到一些结果,利用这一结构可以制作超宽带负阻器件.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3712AED2B54BFA1F&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=E158A972A605785F&sid=A7AE820C12CC9AD3&eid=117BC32987199759&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0