%0 Journal Article
%T 高剂量As注入单晶Si低温加热和高温电子束两步退火性能研究
%A 卢殿通
%A 张通和
%A 苏颖
%A 高愈尊
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文研究高剂量As注入P-Si单晶,经过低温热退火和高温电子束扫描两步退火方式后的性能。用高压电子显微镜观察样品注入层的剩余缺陷,结果表明:只经过一步高温热退火或电子束退火的样品,剩余缺陷密度为10~3/cm~2以上,线缺陷长度为2-4μm,有位错环和位错网存在.两步退火后,样品注入层的缺陷密度降到10~7/cm~2量级,线缺陷长度小于0.5μm.位错网消失。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=10F6AEFA3B0171096AE2385F4F1DB79D&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=0B39A22176CE99FB&sid=AD16A18DBD734D13&eid=78F0EFE028BD3783&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0