%0 Journal Article
%T 在700℃下液相外延生长的GaAs、Al_xGa_(1-x)As中镁的掺杂特性
%A 刘宏勋
%A 章蓓
%A 王舒民
%A 虞丽生
%A 王维义
%A 逄明雪
%A 赵阳
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文报告在700℃下液相外延生长的GaAs,Al_xGa_(1-x)As的镁掺杂特性.测量了母液中不同镁的原子比与外延生长的CaAs,Al_(0.53)Ga_(0.47)As的空穴浓度的关系,掺镁GaAs的空穴浓度与其迁移率的关系以及在77—300K温度范围内空穴浓度、迁移率与温度的关系.估算了700℃下镁在GaAs中的分配系数.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C912E756EB2DDFB20DF3DBF56CEEF510&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=0B39A22176CE99FB&sid=797D49279EA93BC4&eid=F9F74EC1AA08A7B9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0