%0 Journal Article
%T MOS电容微分量的频率特性——确定Si/SiO_2界面态密度分布及俘获截面的一种新方法
%A 许铭真
%A 谭长华
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文用单一能级界面态模型和均匀连续分布界面态模型研究了MOS电容微分量((de)/dv)与频率ω的关系,得到了归一化的(1-e/c_i)~3d/dV(e/ci)-V及(1-e/c_i)~(-3)d/dV(e/c_i)-ω解析式;用非均匀分布模型研究了界面电荷随机涨落的影响,并且,数字计算了相应的曲线.(1-e/c_i)~(-3)d/dV(e/c_i)-ω曲线是具有峰值的谱线,其峰值、峰位分别与界面态密度及发射时间常数相关.此谱线的峰值、峰位与 MOS栅压的关系对应界面态密度及发射时间常数的能量分布.这种方法与电导技术类似,具有可以同时得到态密度及俘获截面数据的优点.实验结果与理论计算结果相符合.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=527C91638B9A7ECA&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=38B194292C032A66&sid=7ABC4505E3960D2B&eid=6826CBE9C80ACB20&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0