%0 Journal Article
%T LPE n-GaAlAs:Te中DX中心的导纳谱分析
%A 葛惟锟
%A 吴荣汉
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 在测量较深能级和最浅能级两种情况时,导纳谱(DLAS)得到的速率值具有完全不同的含义.对于前者,DLAS和DLTS结果一致,给出能级的热发射深度。△Eem;对于后者,DLAS和Hall结果一致,给出能级的热平衡深度△E_(eq).当深中心的晶格弛豫很大时,这种区分十分重要.用DLAS和DLTS技术测量了LPE法生长的n-ca_(0.7)Al_(0.3)As:Te 中的具有复杂性质的DX中心,可以分辨两个能级,△E_(em)分别为～0.35eV和～0.20eV,△E_(eq)分别约为0.10eV和36meV.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=375C25AA23F41FC5&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=38B194292C032A66&sid=01622E3E475F966C&eid=96A53C367B5173D7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0