%0 Journal Article
%T Ga_xIn_(1-x)P/GaAs(100)液相外延界面缺陷的透射电镜观察
%A 陈杰
%A 梁静国
%A 虞丽生
%A 刘宏勋
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 用超高压电镜观察和分析了平面、剖面及磨角的Ga_xIn_(1-x)P/GaAs样品,界面附近位错线的柏氏矢量大多是 b=1/2<100>,平面样品中位错线弯曲且相互交织形成网络,剖面样品中位错线较直且是分立的,不形成网络.认为衬底表面及母液中的夹杂物是外延层中位错的主要来源.另外,在磨角样品中看到衬底位错通过弯曲和表面产生机制向外延层扩展.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5C76FC4E0877FFF6591A9727192A2529&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=0B39A22176CE99FB&sid=8B59EA573021D671&eid=6ED15D8DCB279BC4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0