%0 Journal Article
%T 分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-Al_xGa_(1-X)As异质结中的二维电子气
%A 江丕桓
%A 李月霞
%A 杨富华
%A 王杏华
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X <正> 本所分子束外延组制备了选择性掺杂的 GaAs/N-AlGaAs异质结,它的结构如下:在掺Cr半绝缘(100)GaAs的衬底上,先外延生长1微米厚的未掺杂的 GaAs层,再生长厚度 60A|°左右的未掺杂的Al_xGa_(1-x)As隔离层,其上是厚度为 1000A|°的掺Si的 N-
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F2C89BD26B3AEB4C&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=0B39A22176CE99FB&sid=CEC789B3C68C3BB3&eid=AD16A18DBD734D13&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0