%0 Journal Article
%T 离子注入在SiO_2中引入的陷阱中心
%A 周光能
%A 郑有炓
%A 吴汝麟
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本文主要研究B~+、P~+、As~+离子注入的MOS结构经高温(>860℃)退火后的氧化层陷阱行为.用所建立的雪崩热电子注入及高频 C-V特性联合测量装置,研究了这类陷阱的荷电状态、有效密度、电子俘获截面及与注入离子的关系;利用陷阱电子解陷的热激电流技术,研究了As~+注入氧化层中陷阱的能级深度.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=29758288E0B9C36FE09EE835AEA59BA5&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=DFBC046213B3DD86&eid=E5D85F291CED2DA6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0