%0 Journal Article
%T 深中心行为图形表示方法的探讨
%A 阮圣央
%A 张砚华
%A 郑秉茹
%A 杨锡权
%A 吉秀江
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 利用几个特征能量参数,导出了表征SRH中心四个率参量相对比率大小的一组简单的关系式.这些关系能借助于几幅分区图形来形象地表示.以估算p-n结内深中心有效发射范围作为实例,说明了利用这样的图形来解决一些实际问题是很方便的.对早先已有的图形表示方法来说,可视为是一种发展和补充.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D7B41C3EA658AB0A90B4905B686935F6&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=20ADD38F841C6A4B&eid=92DA076AF6760FAC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0