%0 Journal Article
%T CMOS电路抗Latchup性能研究
%A 费新礴
%A 朱正涌
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文研究了ＣＭＯＳ电路中的Ｌａｔｃｈｕｐ效应．通过实验研究了ＣＭＯＳ电路不同版图尺寸和多种抗Ｌａｔｃｈｕｐ技术对维持点参数（维持电流和维持电压）的影响，得出了Ｌａｔｃｈｕｐｆｒｅｅ结构．本文同时使用ＰＩＳＣＥＳ对Ｌａｔｃｈｕｐ效应进行了二维模拟．
%K CMOS电路
%K 抗Latchup
%K 寄生效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D87120F97069CFE7&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=94C357A881DFC066&sid=44FDB9366EDDFA2B&eid=A22854835F81B3F8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0