%0 Journal Article
%T MOCVD源物质Ti(OC_4H_9)_4的重复性研究
%A 孙一军
%A 夏冠群
%A 张良莹
%A 姚熹
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 本文讨论了ＭＯＣＶＤ源物质Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性．首次实验发现了Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性问题．研究结果表明，热学性质的变化是Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性发生变化的根本原因．
%K MOCVD
%K 化合物半导体
%K 重复性
%K 半导体薄膜技术
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CFD73B97AF50F0ACD224C4EAF5A883E6&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=E158A972A605785F&sid=B7BFA4B351E4C682&eid=9F8C5EF901EA1E7E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3