%0 Journal Article
%T 用GSMBE法生长匹配型GaInAsP／InP材料及量子阱、面发射激光器结构的研究
%A 林世鸣
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文报道通过在位组分调整，配合Ｘ射线双晶衍射测试和光致发光测试，生长了与ＩｎＰ精确匹配的ＧａＩｎＡｓＰ（失配度达４×１０－４）．生长了ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ量子阶结构的光致发光半峰宽达５．７２ｍｅＶ．实验表明源炉挡板开启后生长速率是不均匀的，这对生长量子阶和ＤＢＲ结构是个值得注意的问题，经考虑生长速率变化后生长的面发射激光器结构样片的反射率谱与理论计算的结果很好地相符．
%K GaInAsP／InP
%K 磷化铟
%K GSMBE法
%K 生长
%K 激光器
%K 量子阱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D672D4DA7651BC0C&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=94C357A881DFC066&sid=5A6705FDACED0BF9&eid=5957D6E0A50D26B5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=4