%0 Journal Article
%T Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料退火稳定性的X射线双晶衍射研究
%A 朱南昌
%A 陈京一
%A 胡文捷
%A 李润身
%A 许顺生
%A 周国良
%A 张翔九
%A 俞鸣人
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文通过Ｘ射线双晶衍射和计算机模拟摇摆曲线方法研究了在Ｓｉ（００１）上生长的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ（ｘ≈０．４６）应变层超晶格在不同退火条件下的稳定性和结构变化，结果表明：在退火过程中，应变层发生了应变弛豫，其弛豫时间常数与退火温度有关，弛豫的激活能为０．５５ｅＶ．同时，退火过程中超晶格的层与层之间发生了互扩散，直至为均一成份的合金层，平均扩散激活能为２．７ｅＶ，９５０℃时的扩散系数ＤＴ＝９５０℃＝１．１e－２０ｍ２／ｓ．在退火过程中外延层的晶体完整性明显下降．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=999969F782169040&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=94C357A881DFC066&sid=A5B34D9E8FDA439A&eid=CF6CB42CFF3D4C4E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0