%0 Journal Article
%T A Qusi-3D Model for a FinFET Device Based on the NEGF Method<br>一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型
%A Shao Xue
%A Yu Zhiping
%A <br>邵雪
%A 余志平
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型．采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流，同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布，最终实现与三维泊松方程的自恰求解．模拟结果显示纳米尺度的FinFET器件具有良好的开关特性和亚阈值特性．这个模型还能适用于量子线等其他三维结构的纳米器件．
%K NEGF
%K quantum effects
%K ultra-thin channel
%K 3D
%K numerical simulation
%K FinFET<br>非平衡态格林函数
%K 量子力学效应
%K 超薄沟道
%K 三维
%K 数值模拟
%K FinFET
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A7306101D58EAE95&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=B31275AF3241DB2D&sid=ACF317960D6DF955&eid=D7FC8AF637611368&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=12