%0 Journal Article
%T 硅中注铅的连续CO_2激光退火行为
%A 殷士端
%A 张敬平
%A 顾诠
%A 陆珉华
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 在(111)Si中以 350 keV,1×10~(15)和 5×10~(15)/cm~2注入Pb并进行连续 CO_2激光退火.用背散射RBS和透射电子显微镜TEM研究退火前后的杂质分布和辐射损伤.实验表明,上述退火处理能消除以剂量1×10~(15)/cm~2注入形成的损伤,而当剂量为5×10~(15)/cm~2时,在超过溶解度的高杂质浓度区,外延生长受到阻挡.再生长终止以后,表面形成多晶结构,杂质沿晶粒边界向外扩散.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C4F1772323FBCCB970E11AD3D01967BD&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=B31275AF3241DB2D&sid=D559883475316B44&eid=B10D796AE1B3FEBD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0