%0 Journal Article
%T As~+注入SOI的快速热退火研究
%A 林成鲁
%A 邹世昌
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X CW Ar~+激光再结晶的 SOI薄膜中注入能量为100keV,剂量为1×10~(13)-1×10~(16)cm~(-2)_的As~+,然后以高频感应的石墨加热器进行快速热退火.退火时As的表面损失可以用氮气保护加以抑制.用RBS、SIMS结合扩展电阻测试等技术研究了杂质在SOI材料中的扩散行为.在一定的退火条件下,原子浓度与载流子分布出现双峰,这是杂质在晶粒内部的慢扩散与沿晶粒边界的快扩散两种不同的扩散机制形成的.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E70D5AC43673D75BB6E5ED6C150AA2AB&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=B31275AF3241DB2D&sid=250DF325A002B9CC&eid=9BF3B0483F192149&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0