%0 Journal Article
%T Al-Mo-Ti-PtSi-Si金属化系统特性研究
%A 陈正明
%A 徐建良
%A 罗晋生
%A 沈文正
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文用AES法结合I-V、C-V等测量研究了Al-Mo-Ti-PtSi-Si金属化系统的特性,结果表明:该系统的钛层中有部分钛在溅射过程中被氧化;在热处理过程中,Ti及其氧化物作为阻挡层较Mo更稳定.Ti、Mo作为阻挡层经500℃以及500℃以下温度的退火时,PtSi-Si肖特基结的特性可保持稳定,退火温度到600℃时,Al开始在阻挡层比较薄弱的地方通过阻挡层到达Si界面,使阻挡层破裂并失效. 此外还用AES法分析了PtSi-Si结构的样品,结果表明:原Si片表面的天然氧化层最终分散在形成的硅化铂内,Si可能是形成大部分PtSi的扩散元.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2132DBED750A37C151FF66B018596634&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=B31275AF3241DB2D&sid=42FF82ADD37D41AA&eid=039DCCB9394D9766&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0