%0 Journal Article
%T 硼、砷双注入载流子浓度分布的测量及计算机模拟
%A 马谊
%A 李国辉
%A 张通和
%A 黄敞
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文研究了双极型器件中硼、砷双注入载流子浓度分布的规律,考察了双注入情况下两者的相互作用。为了模拟基区载流子的浓度分布,用一个指数衰变场来模拟基区载流子在E-B结处的下陷,用有效扩散系数模拟尾部的增强扩散效应.并调试了计算双注入的载流子浓度分布的程序.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DF714B07C03F5C96&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=0B39A22176CE99FB&sid=79D2EF35F60110C2&eid=527AEE9F3446633A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0