%0 Journal Article %T 900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性 %A 张进书 %A 金晓军 %A 贾宏勇 %A 陈培毅 %A 钱佩信 %A 罗台秦 %A 杨增敏 %A 黄杰 %A 梁春广 %J 半导体学报 %D 1999 %I %X 本文对用准泡发射区基区工艺制备的SiGe异质结双极晶体管进行了微波功率性能的研究.SiGeHBT在偏置电压VCE=4V和偏置电流Ic=300mA时截止频率fT=7.5GHz.在共射结构C类工作状态下,SiGe异质结双极晶体管工作在900MHz时,连续波输出功率为5W,集电极转化效率为63%,功率增益为7.4dB. %K 双极晶体管 %K 功率特性 %K 异质结 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8A183F818F4F2A251E3F6FD571140B4C&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=E158A972A605785F&sid=03E56C113B4E5A88&eid=11CEECA6DA9E4AC5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2