%0 Journal Article
%T 深亚微米非均匀掺杂MOSFET的衬偏效应及开启电压模型
%A 张文良
%A 杨之廉
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文根据MOS器件沟道区离子注入引起的衬底杂质非均匀分布情况，提出了一个简单的衬底杂质分布的近似．并以此导出了非均匀掺杂下开启电压的衬偏效应模型．模型中采用了一个双曲函数解决了在不同掺杂区域的边界处，电流（或开启电压）对衬偏VBS的导数的不连续问题，并可通过调整参数δ计及实际器件中衬底掺杂的缓变过程．本文还给出一个与村偏相关的短沟道效应公式，准确地反应了深亚微米器件衬偏效应减小的现象．模型计算的结果与数值模拟的结果十分一致．
%K MOS器件
%K 非均匀掺参
%K MOSFET
%K 衬偏效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EC6FC7D16BB9C6F9&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=708DD6B15D2464E8&sid=8AD9BBE1FAF6BB78&eid=8D95DD1211171525&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=2