%0 Journal Article
%T Growth and Electrical Properties of (100)-Oriented CVD Diamond Films<br>(100)定向CVD金刚石薄膜的制备及其电学性能
%A Su Qingfeng
%A XIA Yiben
%A Wang Linjun
%A Zhang Minglong
%A Lou Yanyan
%A Gu Beibei
%A SHI Weimin
%A <br>苏青峰
%A 夏义本
%A 王林军
%A 张明龙
%A 楼燕燕
%A 顾蓓蓓
%A 史伟民
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 采用HFCVD制备金刚石薄膜的方法,以乙醇为碳源，氢气为载气，在适当的衬底温度下，合成出具有(100)晶面取向均匀生长的金刚石薄膜．SEM，XRD和Raman分析表明,所合成的金刚石薄膜是高质量的多晶(100)取向膜，厚度均匀、化学性能稳定,结构和性能与天然金刚石相接近．研究了室温下(100)取向金刚石薄膜的暗电流电压特性、稳态55Fe 5.9keV X射线辐照下的响应和电容频率特性．结果表明，退火后(100)取向多晶金刚石薄膜具有较低的暗电流和较高的X射线响应；高频下，电容和介电损耗都很小且趋于稳定，不随频率的变化而变化．
%K diamond films
%K HFCVD
%K (100)-oriented growth
%K electrical property<br>金刚石薄膜
%K HFCVD
%K (100)定向生长
%K 电学特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2ED9C579BBEF8BBB&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=94C357A881DFC066&sid=3005465426CC5B70&eid=9822743C2D2BE348&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=17