%0 Journal Article
%T Annealing of In-Diffused and In-Doped CdZnTe<br>未掺杂CdZnTe与掺铟CdZnTe晶体的热处理
%A Zhang Bin
%A Sang Wenbin
%A Li Wanwan
%A Min Jiahua
%A <br>张斌
%A 桑文斌
%A 李万万
%A 闵嘉华
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 对于未掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片,采用在Cd/Zn气氛下,以In作为气相掺杂源进行热处理;而对于低阻In-Cd0.9Zn0.1Te晶片,则采用在Te气氛下进行热处理.分别研究了不同的热处理条件,包括温度、时间、pIn或pTe等对晶片电学性能、红外透过率以及Te夹杂/沉淀相的影响.结果表明,在Cd/Zn气氛下适当的掺In热处理和在Te气氛下适当的热处理均有效地提高了晶片的电阻率,分别达到2.3×1010和5.7×109Ω·cm,同时晶片的其他性能也得到明显改善.
%K CdZnTe
%K gas-doping
%K annealing
%K Te vapor<br>CdZnTe
%K 气相掺杂
%K 热处理
%K Te气氛
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=196ACB0C12B36CD9&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=708DD6B15D2464E8&sid=6EAE3EAEEC5D0463&eid=193F3A809807D248&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=13