%0 Journal Article
%T A Novel Flash Memory Using Band-to-Band Tunneling In duced Hot Electron Injection to Program<br>一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器(英文)
%A Pan Liyang
%A Zhu Jun
%A Liu Zhihong
%A Zeng Ying
%A Lu Yong
%A <br>潘立阳
%A 朱钧
%A 刘志宏
%A 曾莹
%A 鲁勇
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 提出一种采用带 带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器结构 ,在便携式低功耗的code闪存中有着广泛的应用前景 .该结构采用带 带隧穿热电子注入 (BBHE)进行“写”编程 ,采用源极Fowler Nordheim隧穿机制进行擦除 .研究显示控制栅编程电压为 8V ,漏极漏电流只有 3μA/ μm左右 ,注入系数为 4× 10 -4 ,编程速度可达 16 μs,0 8μm存贮管的读电流可达 6 0 μA/ μm .该新型结构具有高编程速度、低编程电压、低功耗、大读电流和高访问速度等优点 .
%K flash memory
%K band
%K to
%K band
%K channel hot electron
%K Fowler
%K Nordheim<br>快闪存贮器
%K 带-带隧穿
%K 沟道热电子
%K Fowler-Nordheim
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=85BFEBAC1C255D50&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=DC2727B6AC017B3F&eid=D02611D1F8166C9A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=7