%0 Journal Article
%T Excitonic Spectra of ZnSe Thin Films Grown on GaAs Substrates<br>ZnSe薄膜的激子光谱
%A SHENG Chuan-xiang
%A WANG Xing-jun
%A YU Gen-cai
%A HUANG Da-ming
%A <br>盛传祥
%A 王兴军
%A 俞根才
%A 黄大鸣
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱 ,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转 ,以及激子极化激元 (Po-lariton)对反射谱的影响 .也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律 :束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光 (I1峰 )随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失 ,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光 (I2 峰 )则随着厚度增加逐渐增强 .
%K ZnSe
%K exciton
%K photoluminesce<br>ZnSe
%K 激子
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=332CC754046F175C&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=59906B3B2830C2C5&sid=A60ED5C9472B8BEB&eid=7CCBDF94263DBB99&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=16