%0 Journal Article
%T pH－ISFET　输出时漂特性的研究
%A 钟雨乐
%A 赵守安
%A 刘涛
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ恒流输出时漂特性进行了一系列实验研究，获得时漂随器件浸泡时间的变化规律，指出造成时漂的原因之一，是敏感膜水化层带有负电荷，使器件出现附加阈值电压上ΔＶＴ（ｔ），而水化层厚度随浸泡时间而增加，造成ΔＶＴ（ｔ）的正向时漂．提出了器件阈值电压时漂的初步物理解释．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FA40F52942477814&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=59906B3B2830C2C5&sid=D40528F59753C0F7&eid=85C7135C065B9251&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0