%0 Journal Article
%T Electric Characterization of ZnS/InP Interface After (NH4) 2 S Sulfidation Treatment<br>(NH4)2S硫化后ZnS/InP界面的电学特性
%A Zhuang Chunquan
%A Tang Yingwen
%A Huang Yangcheng
%A Gong Haimei
%A <br>庄春泉
%A 汤英文
%A 黄杨程
%A 吕衍秋
%A 龚海梅
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 在(NH4)2S硫化后的n-型InP衬底上热蒸发ZnS薄膜制得Au/ZnS/InP(100)MIS器件，测得了其I-V特性曲线以及3MHz下的高频C-V曲线和100Hz下的准静态C-V曲线从这些曲线得到如下结果：正向饱和电流为7e-13A; ZnS钝化下经硫化的n-型InP表面的固定电荷密度为-2.28e11/cm2；禁带中的最低表面态密度约为1e12cm-2·eV-1. 上述结果表明经硫化后的ZnS/InP界面具有良好的界面特性.
%K InP
%K ZnS
%K sulfur passivation
%K MIS diode<br>InP
%K ZnS
%K 硫化
%K MIS二极管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3D6571CF4B1672CC&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=8C40A730A9894EF1&eid=2F67C4FDB50F86BC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=12