%0 Journal Article
%T 硅中E_c-O.18eV铜能级的单轴应力深能级瞬态谱研究
%A 姚秀琛
%A 王雷
%A 陈开茅
%A 秦国刚
%J 半导体学报
%D 1989
%I 
%X 首次用单轴应力下的深能级瞬态谱法研究了N型直拉硅中与铜有关的主要深能级E_c-0.18eV.由实验结果推断,这个能级对应于硅中两个不同的铜中心,其深能级的激活能十分接近,单轴应力使偶然简并解除从而将它们分开.
%K 硅
%K 深中心
%K 铜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=71FE90CD1688F307F7A734A8D9741983&yid=1833A6AA51F779C1&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=94C357A881DFC066&sid=396DD691E964F390&eid=4F0B2F798E08B761&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3