%0 Journal Article
%T Optical Properties and Growth of Cubic GaN Buffer Layers on Sapphire by Radio Frequency Plasma CVD<br>利用高频PlasmaCVD在蓝宝石衬底上生长立方GaN缓冲层及其光学性
%A XIU Xiang-qian
%A <br>修向前
%A 野崎真次
%A 岛袋淳一
%A 池上隆兴
%A 王大志
%A 汤洪高
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 研究了采用高频 Plasma CVD技术在较低温度下 (30 0— 40 0℃ )生长以 Ga N为基的 - 族氮化物的可行性 ,在蓝宝石衬底上生长了 Ga N缓冲层 .热处理后的光致发光谱和 X光衍射表明 ,生长的 Ga N缓冲层为立方相 ,带边峰位于 3.15 e V.在作者实验的范围内 ,最优化的 TMGa流量为 0 .0 8sccm (TMAm=10 sccm时 ) ,XPS分析结果表明此时的 Ga/ N比为 1.0 3.这是第一次在高 / 比下得到立方 Ga N.相同条件下石英玻璃衬底上得到的立方 Ga N薄膜 ,黄光峰很弱 ,晶体质量较好
%K cubic GaN
%K radio frequency plasma CVD
%K X
%K ray photoelectron spectra<br>立方GaN
%K 高频等离子体化学气相沉积
%K X射线光电子谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F77953B1975A49F3&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=0B39A22176CE99FB&sid=B1F98368A47B8888&eid=50BBDFAC8381694B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=4